山西招商网络> 山西招商项目> 第三代半导体氮化镓晶圆制造项目
项目类型
其他类型
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投资方式
合资,合作,独资
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所属行业
制造业
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项目地点
山西
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项目有效期
两年
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项目总金额
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项目标注
一般
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项目内容描述
项目基本情况 （一）建设背景：氮化镓等第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强等突出特点，是制作高频、高压、高效、大功率微波器件最理想的半导体材料，在电源管理、发电和功率输出方面具有明显的技术优势。随着快充、汽车电子和消费电子发展，第三代半导体材料应用有望在全球得以大幅增长。《2025中国制造》中，对第三代半导体的国产替代化和规模化应用做出了相应目标规划，以期实现产业独立自主，确保稳定发展。 （二）建设地点：山西省芮城县风陵渡经济开发区新材料产业园振兴东路以北。 （三）生产规模：年产10万片6英寸蓝宝石基氮化镓晶圆，年产2万片的8英寸蓝宝石基氮化镓晶圆，年产2万片6英寸硅基氮化镓晶圆，年产2万片8英寸硅基氮化镓晶圆。 （四）建设内容：新建两条6英寸蓝宝石基氮化镓晶圆生产线，两条8英寸蓝宝石基氮化镓晶圆生产线，两条6英寸硅基氮化镓晶圆生产线，两条8英寸硅基氮化镓晶圆。 项目占地面积100亩，总建筑面积40040平方米，其中：建设8栋钢构厂房，建筑面积24000平方米，高度8米。建设8个钢构仓库，建筑面积7500平方米。建设2栋办公生活服务砖混用房建筑面积7000平方米，附属用房建筑面积2240平方米。
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项目性质
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年销售收入
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投资回收期
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预计就业人数
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项目环保简述
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投资者条件
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建设项目优势
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项目单位
山西芯辉半导体科技有限公司
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地址
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联系人
张****
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电话
153****
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传真
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电子邮箱
tzfw****
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邮编
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2022-09-14
2021-09-27
2021-06-15
2021-06-15
2021-06-15
2021-06-15
2021-06-15
2021-06-15
2021-06-15
2021-06-15
